大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法香港名媛是做什么的规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng香港名媛是做什么的)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(y香港名媛是做什么的uán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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