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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通一个鸡腿多重，一个鸡腿多重多少克过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游一个鸡腿多重，一个鸡腿多重多少克市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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