大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响夷洲今是何地，夷洲是哪里我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波夷洲今是何地，夷洲是哪里龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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